SWD630D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SWD630D
   Código: SW630D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 96.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 20 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 117 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SWD630D

SWD630D Datasheet (PDF)

..1. Size:764K samwin
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SW630D N-channel Enhanced mode TO-220/TO-252 MOSFET Features TO-220 TO-252 BVDSS : 200V High ruggedness ID : 9A Low RDS(ON) (Typ 0.27)@VGS=10V RDS(ON) : 0.27 Low Gate Charge (Typ 20nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 2 2 Application:Synchronous Rectification, 3 3 DC-DC 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 G

..2. Size:780K samwin
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8.1. Size:742K samwin
sw630 swp630 swf630 swd630.pdf

SAMWIN SW630N-channel MOSFETTO-220F TO-220 TO-252FeaturesBVDSS : 200V High ruggednessID : 10A RDS(ON) (Max 0.4 )@VGS=10V Gate Charge (Typ 20nC)RDS(ON) : 0.4ohm1 Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested1 132 23 321. Gate 2. Drain 3. SourceGeneral Description1This power MOSFET is produced with advanced VDMOS technology of SAMW

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: