ZDM4306N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ZDM4306N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 350 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.33 Ohm
Paquete / Cubierta: SM8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET ZDM4306N
ZDM4306N Datasheet (PDF)
zdm4306n.pdf
SM-8 DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENTZDM4306NMODE MOSFETSISSUE 1 - NOVEMBER 1995D1 G1D1 S1D2 G2D2 S2SM-8 PARTMARKING DETAIL M4306N(8 LEAD SOT223)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.PARAMETER SYMBOL VALUE UNITDrain-Source Voltage VDS 60 VContinuous Drain Current at Tamb=25C ID 2APulsed Drain Current IDM 15 AGate-Source Voltage VGS 20 VOperating and Stora
Otros transistores... TA75333 , TA75339 , TN0104N3 , TN0104N8 , VN10LF , VN10LP , VN2222LL , ZDM4206N , 7N65 , ZVN0120A , ZVN0124A , ZVN0540A , ZVN0545A , ZVN0545G , ZVN1409A , ZVN2106A , ZVN2106G .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918