ZDM4306N - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: ZDM4306N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.33 Ohm
Тип корпуса: SM8
Аналог (замена) для ZDM4306N
ZDM4306N Datasheet (PDF)
zdm4306n.pdf
SM-8 DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENTZDM4306NMODE MOSFETSISSUE 1 - NOVEMBER 1995D1 G1D1 S1D2 G2D2 S2SM-8 PARTMARKING DETAIL M4306N(8 LEAD SOT223)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.PARAMETER SYMBOL VALUE UNITDrain-Source Voltage VDS 60 VContinuous Drain Current at Tamb=25C ID 2APulsed Drain Current IDM 15 AGate-Source Voltage VGS 20 VOperating and Stora
Другие MOSFET... TA75333 , TA75339 , TN0104N3 , TN0104N8 , VN10LF , VN10LP , VN2222LL , ZDM4206N , IRFP250N , ZVN0120A , ZVN0124A , ZVN0540A , ZVN0545A , ZVN0545G , ZVN1409A , ZVN2106A , ZVN2106G .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGMS5N50D | AGML315ME | AGMH70N90H | AGMH70N90C | AGMH70N70D | AGMH70N70C | AGMH614H | AGMH614D | AGMH614C | AGMH612D | AGMH6080H | AGMH606H | AGMH606C | AGMH605C | AGMH403A1 | AGM308MBP
Popular searches
2sc1972 | 2n5088 transistor equivalent | 2n5884 | bc640 | 2sc756 | oc44 transistor datasheet | 2sa1210 | 2sc3792


