SWJ6N80D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SWJ6N80D
Código: SW6N80D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 186.6 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 800 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 6 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
Carga de la puerta (Qg): 32 nC
Tiempo de subida (tr): 30 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 91 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 2.4 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-262
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SWJ6N80D Datasheet (PDF)
sw6n80d swn6n80d swf6n80d swd6n80d swu6n80d swj6n80d.pdf
SW6N80D N-channel Enhanced mode TO-251N/TO-220F/TO-252/TO-262/TO-262N MOSFET Features TO-251N TO-220F TO-252 TO-262 BVDSS : 800V TO-262N ID : 6A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 2.0)@VGS=10V RDS(ON) : 2.0 Low Gate Charge (Typ 32nC) Improved dv/dt Capability 2 1 1 1 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 2 2 2 3 3 3 3 3 Application:LED
swn6n80d swf6n80d swd6n80d swu6n80d swj6n80d.pdf
SW6N80DN-channel Enhanced mode TO-251N/TO-220F/TO-252/TO-262/TO-262N MOSFETFeaturesTO-251N TO-220F TO-252 BVDSS : 800VTO-262 TO-262NID : 6A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 2.0)@VGS=10VRDS(ON) : 2.0 Low Gate Charge (Typ 32nC) Improved dv/dt Capability 211 1 1 1 100% Avalanche Tested22 2 2 233 3 3 3 Application:LED , Charger, SMPS1.
swf6n90d swj6n90d.pdf
SW6N90D N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-262N MOSFET TO-220F TO-262N Features BVDSS : 900V ID : 6A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 1.8)@VGS=10V RDS(ON) :1.8 Low Gate Charge (Typ 42nC) Improved dv/dt Capability 2 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 3 3 Application:UPS, LED, SMPS 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description
Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
