SWJ6N80D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SWJ6N80D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 186.6 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 91 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.4 Ohm
Encapsulados: TO-262
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SWJ6N80D datasheet
sw6n80d swn6n80d swf6n80d swd6n80d swu6n80d swj6n80d.pdf
SW6N80D N-channel Enhanced mode TO-251N/TO-220F/TO-252/TO-262/TO-262N MOSFET Features TO-251N TO-220F TO-252 TO-262 BVDSS 800V TO-262N ID 6A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 2.0 )@VGS=10V RDS(ON) 2.0 Low Gate Charge (Typ 32nC) Improved dv/dt Capability 2 1 1 1 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 2 2 2 3 3 3 3 3 Application LED
swn6n80d swf6n80d swd6n80d swu6n80d swj6n80d.pdf
SW6N80D N-channel Enhanced mode TO-251N/TO-220F/TO-252/TO-262/TO-262N MOSFET Features TO-251N TO-220F TO-252 BVDSS 800V TO-262 TO-262N ID 6A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 2.0 )@VGS=10V RDS(ON) 2.0 Low Gate Charge (Typ 32nC) Improved dv/dt Capability 2 1 1 1 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 2 2 2 3 3 3 3 3 Application LED , Charger, SMPS 1.
swf6n90d swj6n90d.pdf
SW6N90D N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-262N MOSFET TO-220F TO-262N Features BVDSS 900V ID 6A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 1.8 )@VGS=10V RDS(ON) 1.8 Low Gate Charge (Typ 42nC) Improved dv/dt Capability 2 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 3 3 Application UPS, LED, SMPS 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description
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History: SE1991GA | SE1991G | NTD3055L170 | RUH120N140S | NTD40N03R
History: SE1991GA | SE1991G | NTD3055L170 | RUH120N140S | NTD40N03R
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