SWJ8N70D Todos los transistores

 

SWJ8N70D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SWJ8N70D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 162 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 43 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 118 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-262
 

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SWJ8N70D Datasheet (PDF)

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SWJ8N70D

SW8N70D N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-262N MOSFET Features TO-220F TO-262N BVDSS : 700V High ruggedness ID : 8A Low RDS(ON) (Typ 1.0m)@VGS=10 RDS(ON) : 1.0 Low Gate Charge (Typ 37nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 2 2 Application:Electronic Ballast , Motor 3 3 Control , Synchronous Rectification, Inverter

 ..2. Size:775K  samwin
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SWJ8N70D

SW8N70D N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-262N MOSFET Features TO-220F TO-262N BVDSS : 700V High ruggedness ID : 8A Low RDS(ON) (Typ 1.0m)@VGS=10 RDS(ON) : 1.0 Low Gate Charge (Typ 37nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 2 2 Application:Electronic Ballast , Motor 3 3 Control , Synchronous Rectification, Inverter

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SWJ8N70D

SW8N65DB N-channel Enhanced mode TO-251/TO-252 /TO-220F/TO-262N MOSFET Features BVDSS : 650V TO-251 TO-252 TO-220F TO-262N ID : 8A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 1.0)@VGS=10V RDS(ON) : 1.0 Low Gate Charge (Typ 34nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 1 1 1 2 2 2 2 Application:LED, Charge, PC Power 3 3 3 3 1

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SWJ8N70D

SW8N90KU N-channel Enhanced mode TO-262N MOSFET TO-262N BVDSS : 900V Features ID : 8A High ruggedness RDS(ON) : 0.97 Low RDS(ON) (Typ 0.97)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 32nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 1 3 Application: UPS, LED, SMPS 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This power MOSFET

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History: WMJ30N65EM | IRFP9242 | RD3L150SN | MTN8N65FI | IRFR13N15DTR | IPD65R1K4C6 | PJA3415AE

 

 
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