SWJ8N70D - аналоги и даташиты транзистора

 

SWJ8N70D - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SWJ8N70D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 162 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 43 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 118 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: TO-262
 

 Аналог (замена) для SWJ8N70D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWJ8N70D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:710K  samwin
 sw8n70d swf8n70d swj8n70d.pdf pdf_icon

SWJ8N70D

SW8N70D N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-262N MOSFET Features TO-220F TO-262N BVDSS : 700V High ruggedness ID : 8A Low RDS(ON) (Typ 1.0m)@VGS=10 RDS(ON) : 1.0 Low Gate Charge (Typ 37nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 2 2 Application:Electronic Ballast , Motor 3 3 Control , Synchronous Rectification, Inverter

 ..2. Size:775K  samwin
 swf8n70d swj8n70d.pdf pdf_icon

SWJ8N70D

SW8N70D N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-262N MOSFET Features TO-220F TO-262N BVDSS : 700V High ruggedness ID : 8A Low RDS(ON) (Typ 1.0m)@VGS=10 RDS(ON) : 1.0 Low Gate Charge (Typ 37nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 2 2 Application:Electronic Ballast , Motor 3 3 Control , Synchronous Rectification, Inverter

 9.1. Size:1132K  samwin
 sw8n65db swi8n65db swd8n65db swf8n65db swj8n65db.pdf pdf_icon

SWJ8N70D

SW8N65DB N-channel Enhanced mode TO-251/TO-252 /TO-220F/TO-262N MOSFET Features BVDSS : 650V TO-251 TO-252 TO-220F TO-262N ID : 8A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 1.0)@VGS=10V RDS(ON) : 1.0 Low Gate Charge (Typ 34nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 1 1 1 2 2 2 2 Application:LED, Charge, PC Power 3 3 3 3 1

 9.2. Size:614K  samwin
 swj8n90ku.pdf pdf_icon

SWJ8N70D

SW8N90KU N-channel Enhanced mode TO-262N MOSFET TO-262N BVDSS : 900V Features ID : 8A High ruggedness RDS(ON) : 0.97 Low RDS(ON) (Typ 0.97)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 32nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 1 3 Application: UPS, LED, SMPS 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This power MOSFET

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SWF7N80D , SWU7N80D , SWJ7N80D , SWI8N65DB , SWD8N65DB , SWF8N65DB , SWJ8N65DB , SWF8N70D , AO3401 , SSF60R190S2 , SSP60R190S2 , SSW60R190S2 , SSF60R190SFD , SSP60R190SFD , SSW60R190SFD , SSF60R260S2 , SSP60R260S2 .

 

 
Back to Top

 


 
.