SSW47N60SFD Todos los transistores

 

SSW47N60SFD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SSW47N60SFD
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 391 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 47 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 64 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 910 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.075 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247

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SSW47N60SFD Datasheet (PDF)

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SUPER-SEMI SUPER-MOSFET Super Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 600V Super Junction Power MOSFET With Fast-Recovery SS*47N60SFD Rev. 1.5 Jun. 2019 www.supersemi.com.cn March, 2016 SJ-FET SSW47N60SFD/SSA47N60SFD 600V N-Channel MOSFET With Fast-Recovery Description Features SJ-FET is new generation of high voltage MOSFET family that Mult

 5.1. Size:1214K  cn super semi
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SUPER-SEMI SUPER-MOSFET Super Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 600V Super Junction Power MOSFET SS*47N60S Rev. 1.3 Jun. 2019 www.supersemi.com.cn March, 2016 SJ-FET SSW47N60S/SSA47N60S 600V N-Channel MOSFET Description Features SJ-FET is new generation of high voltage MOSFET family that is utilizing an advanced charge balance mechanism fo

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