SSW47N60SFD MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: SSW47N60SFD

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 391 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 47 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 64 nC

Время нарастания (tr): 12 ns

Выходная емкость (Cd): 910 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.075 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для SSW47N60SFD

 

BUY TRANSISTORS

 

 

SSW47N60SFD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1289K  cn super semi
 ssw47n60sfd ssa47n60sfd.pdf

SUPER-SEMI SUPER-MOSFET Super Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 600V Super Junction Power MOSFET With Fast-Recovery SS*47N60SFD Rev. 1.5 Jun. 2019 www.supersemi.com.cn March, 2016 SJ-FET SSW47N60SFD/SSA47N60SFD 600V N-Channel MOSFET With Fast-Recovery Description Features SJ-FET is new generation of high voltage MOSFET family that Mult

 5.1. Size:1214K  cn super semi
 ssw47n60s ssa47n60s.pdf

SUPER-SEMI SUPER-MOSFET Super Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 600V Super Junction Power MOSFET SS*47N60S Rev. 1.3 Jun. 2019 www.supersemi.com.cn March, 2016 SJ-FET SSW47N60S/SSA47N60S 600V N-Channel MOSFET Description Features SJ-FET is new generation of high voltage MOSFET family that is utilizing an advanced charge balance mechanism fo

Другие MOSFET... P1503HV , P1504BDG , P1504BVG , P1504EDG , P1504EIS , P1504HV , P1510ATG , P1520ED , IRF630 , P1603BEB , P1603BEBA , P1603BEBB , P1603BV , P1603BVA , P1604ED , P1604ET , P1604ETF .