TSM60NB1R4CH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TSM60NB1R4CH
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 28.4 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 11.4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 41.5 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
Paquete / Cubierta: TO251
- Selección de transistores por parámetros
TSM60NB1R4CH Datasheet (PDF)
tsm60nb1r4ch.pdf

TSM60NB1R4CH Taiwan Semiconductor N-Channel Power MOSFET 600V, 3A, 1.4 FEATURES KEY PERFORMANCE PARAMETERS Super-Junction technology PARAMETER VALUE UNIT High performance due to small figure-of-merit VDS 600 V High ruggedness performance RDS(on) (max) 1.4 High commutation performance Qg 7.12 nC 100% UIL tested Pb-free plating Comp
tsm60n03cp.pdf

TSM60N03 30V N-Channel Power MOSFET TO-252 PRODUCT SUMMARY Pin Definition: (DPAK) 1. Gate VDS (V) RDS(on)(m) ID (A) 2. Drain 3. Source 30 4.5 @ VGS =10V 60 Features Block Diagram Advanced Trench Technology Low RDS(ON) 4.5m (Max.) Low gate charge typical @ 12nC (Typ.) Low Crss typical @ 140pF (Typ.) Ordering Information Part No. Packag
tsm60n06cp.pdf

TSM60N06 60V N-Channel Power MOSFET TO-252 PRODUCT SUMMARY Pin Definition: (DPAK) 1. Gate VDS (V) RDS(on)(m) ID (A) 2. Drain 3. Source 60 7.3 @ VGS =10V 66 Features Block Diagram Advanced Trench Technology Low RDS(ON) 7.3m (Max.) Low gate charge typical @ 81nC (Typ.) Low Crss typical @ 339pF (Typ.) Ordering Information Part No. Packag
Otros transistores... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , IRFZ48N , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .
History: IXTP50N28T | 3SK249
History: IXTP50N28T | 3SK249



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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