TSM60NB1R4CH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TSM60NB1R4CH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 28.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 11.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 41.5 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251

Búsqueda de reemplazo de MOSFET TSM60NB1R4CH

TSM60NB1R4CH Datasheet (PDF)

..1. Size:683K taiwansemi
tsm60nb1r4ch.pdf

TSM60NB1R4CH Taiwan Semiconductor N-Channel Power MOSFET 600V, 3A, 1.4 FEATURES KEY PERFORMANCE PARAMETERS Super-Junction technology PARAMETER VALUE UNIT High performance due to small figure-of-merit VDS 600 V High ruggedness performance RDS(on) (max) 1.4 High commutation performance Qg 7.12 nC 100% UIL tested Pb-free plating Comp

8.1. Size:66K taiwansemi
tsm60n03cp.pdf

TSM60N03 30V N-Channel Power MOSFET TO-252 PRODUCT SUMMARY Pin Definition: (DPAK) 1. Gate VDS (V) RDS(on)(m) ID (A) 2. Drain 3. Source 30 4.5 @ VGS =10V 60 Features Block Diagram Advanced Trench Technology Low RDS(ON) 4.5m (Max.) Low gate charge typical @ 12nC (Typ.) Low Crss typical @ 140pF (Typ.) Ordering Information Part No. Packag

8.2. Size:65K taiwansemi
tsm60n06cp.pdf

TSM60N06 60V N-Channel Power MOSFET TO-252 PRODUCT SUMMARY Pin Definition: (DPAK) 1. Gate VDS (V) RDS(on)(m) ID (A) 2. Drain 3. Source 60 7.3 @ VGS =10V 66 Features Block Diagram Advanced Trench Technology Low RDS(ON) 7.3m (Max.) Low gate charge typical @ 81nC (Typ.) Low Crss typical @ 339pF (Typ.) Ordering Information Part No. Packag

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History: SI4288DY

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