TSM60NB1R4CH MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TSM60NB1R4CH

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 28.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11.4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 41.5 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm

Encapsulados: TO251

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TSM60NB1R4CH datasheet

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TSM60NB1R4CH

TSM60NB1R4CH Taiwan Semiconductor N-Channel Power MOSFET 600V, 3A, 1.4 FEATURES KEY PERFORMANCE PARAMETERS Super-Junction technology PARAMETER VALUE UNIT High performance due to small figure-of-merit VDS 600 V High ruggedness performance RDS(on) (max) 1.4 High commutation performance Qg 7.12 nC 100% UIL tested Pb-free plating Comp

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TSM60NB1R4CH

TSM60N03 30V N-Channel Power MOSFET TO-252 PRODUCT SUMMARY Pin Definition (DPAK) 1. Gate VDS (V) RDS(on)(m ) ID (A) 2. Drain 3. Source 30 4.5 @ VGS =10V 60 Features Block Diagram Advanced Trench Technology Low RDS(ON) 4.5m (Max.) Low gate charge typical @ 12nC (Typ.) Low Crss typical @ 140pF (Typ.) Ordering Information Part No. Packag

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TSM60NB1R4CH

TSM60N06 60V N-Channel Power MOSFET TO-252 PRODUCT SUMMARY Pin Definition (DPAK) 1. Gate VDS (V) RDS(on)(m ) ID (A) 2. Drain 3. Source 60 7.3 @ VGS =10V 66 Features Block Diagram Advanced Trench Technology Low RDS(ON) 7.3m (Max.) Low gate charge typical @ 81nC (Typ.) Low Crss typical @ 339pF (Typ.) Ordering Information Part No. Packag

Otros transistores... YPN438S, ASM6115, MMFTP3401, GDSSF2300, TSM10NC60CF, TSM150P04LCS, TSM2301A, TSM240N03CX, 5N65, TSM650P03CX, TSM900N06CH, TSM900N06CP, TSM900N06CW, CI28N120SM, CI30N120SM, CI47N65, CI60N120SM