TSM900N06CP Todos los transistores

 

TSM900N06CP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TSM900N06CP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 9.3 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 9.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

TSM900N06CP Datasheet (PDF)

 5.1. Size:502K  taiwansemi
 tsm900n06.pdf pdf_icon

TSM900N06CP

TSM900N06 60V N-Channel Power MOSFET TO-251S TO-252 Key Parameter Performance Pin Definition: (IPAK SL) (DPAK) 1. Gate Parameter Value Unit 2. Drain 3. Source VDS 60 V VGS = 10V 90 RDS(on) (max) m VGS = 4.5V 100 Qg 9.3 nC SOT-223 Block Diagram Ordering Information Part No. Package Packing TSM900N06CH X0G TO-251S 75pcs / Tube TSM900N06CP ROG TO-252

Otros transistores... GDSSF2300 , TSM10NC60CF , TSM150P04LCS , TSM2301A , TSM240N03CX , TSM60NB1R4CH , TSM650P03CX , TSM900N06CH , IRLZ44N , TSM900N06CW , CI28N120SM , CI30N120SM , CI47N65 , CI60N120SM , CI72N65 , CIM3N150 , CIM6N120-220C .

History: HFS10N60S

 

 
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