ZVN2535A Todos los transistores

 

ZVN2535A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ZVN2535A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 350 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.09 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 35 Ohm
   Paquete / Cubierta: ELINE
 

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ZVN2535A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:43K  diodes
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ZVN2535A

N-CHANNEL ENHANCEMENT5A ZVN2535AMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 2 MARCH 94FEATURES* 350 Volt VDSRDS(on)=35VGS=10V D4V G SE-LineTO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.3VPARAMETER SYMBOL VALUE UNITDrain-Source Voltage VDS 350 V25Continuous Drain Current at Tamb=25C ID 90 mAPulsed Drain Current IDM 1AGate Source Voltage VGS 20 VPower Dissipation

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History: IXFN60N60 | STK18N05L

 

 
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