Справочник MOSFET. ZVN2535A

 

ZVN2535A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ZVN2535A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 350 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.09 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 35 Ohm
   Тип корпуса: ELINE
 

 Аналог (замена) для ZVN2535A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ZVN2535A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:43K  diodes
 zvn2535a.pdf pdf_icon

ZVN2535A

N-CHANNEL ENHANCEMENT5A ZVN2535AMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 2 MARCH 94FEATURES* 350 Volt VDSRDS(on)=35VGS=10V D4V G SE-LineTO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.3VPARAMETER SYMBOL VALUE UNITDrain-Source Voltage VDS 350 V25Continuous Drain Current at Tamb=25C ID 90 mAPulsed Drain Current IDM 1AGate Source Voltage VGS 20 VPower Dissipation

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IRFM250 | IRF521

 

 
Back to Top

 


 
.