ZVN2535A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: ZVN2535A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 350 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.09 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 35 Ohm
Тип корпуса: ELINE
ZVN2535A Datasheet (PDF)
zvn2535a.pdf
N-CHANNEL ENHANCEMENT5A ZVN2535AMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 2 MARCH 94FEATURES* 350 Volt VDSRDS(on)=35VGS=10V D4V G SE-LineTO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.3VPARAMETER SYMBOL VALUE UNITDrain-Source Voltage VDS 350 V25Continuous Drain Current at Tamb=25C ID 90 mAPulsed Drain Current IDM 1AGate Source Voltage VGS 20 VPower Dissipation
Другие MOSFET... ZVN0545G , ZVN1409A , ZVN2106A , ZVN2106G , ZVN2110A , ZVN2110G , ZVN2120A , ZVN2120G , SPP20N60C3 , ZVN3306A , ZVN3306F , ZVN3310A , ZVN3310F , ZVN3320A , ZVN3320F , ZVN4106F , ZVN4206A .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918