CI60N120SM Todos los transistores

 

CI60N120SM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CI60N120SM
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 330 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 52 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.052 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247
 

 Búsqueda de reemplazo de CI60N120SM MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

CI60N120SM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:406K  tokmas
 ci60n120sm.pdf pdf_icon

CI60N120SM

SIC MOSFETCI60N120SMFeatures Package High Blocking Voltage with Low On-Resistance High Speed Switching with Low Capacitances Easy to Parallel and Simple to Drive Avalanche Ruggedness Resistant to Latch-Up Halogen Free, RoHS CompliantBenefitsTO-247-3 Higher System Efficiency Reduced Cooling Requirements Increased Power Density Increased S

Otros transistores... TSM60NB1R4CH , TSM650P03CX , TSM900N06CH , TSM900N06CP , TSM900N06CW , CI28N120SM , CI30N120SM , CI47N65 , STP80NF70 , CI72N65 , CIM3N150 , CIM6N120-220C , CIM6N120-220F , CIM6N120-247 , P7515BDB , PM5G8EA , PR804BA33 .

History: VBL165R10 | H5N5006LD | QS6M3 | INJ0003AC1 | FDPF7N50 | IPA50R950CE | IPP60R099C6

 

 
Back to Top

 


 
.