ISCNL343D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ISCNL343D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 130 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.6 VRds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.038 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de ISCNL343D MOSFET
ISCNL343D Datasheet (PDF)
iscnl343d.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor ISCNL343DFEATURESDrain Current : I = 30A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 100V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 40m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONSwitch Mode Power Supply (SMPS)Uninterruptible Power Supply (U
iscnl344d.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor ISCNL344DFEATURESDrain Current : I = 35A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 100V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 23m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDC/DC ConverterIdeal for high-frequency switchingand synchro
iscnl256n.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor ISCNL256NDESCRIPTIONDrain Current I =60A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =60V(Min)DSSFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitch Mode Power Supply (SMPS)Uninterruptible Power Supply (UPS)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25
Otros transistores... ISCNH327P , ISCNH328W , ISCNH339D , ISCNH340B , ISCNH342P , ISCNH342W , ISCNH345P , ISCNH346F , AO3401 , ISCNL344D , ISCPL322D , IXFH60N60X2A , MN7R6-60PS , STH80N10LF7-2AG , VP2320N1 , VIS30019 , VIS30023 .



Liste
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