ISCNL343D - описание и поиск аналогов

 

ISCNL343D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ISCNL343D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.038 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для ISCNL343D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ISCNL343D даташит

 ..1. Size:308K  inchange semiconductor
 iscnl343d.pdf pdf_icon

ISCNL343D

isc N-Channel MOSFET Transistor ISCNL343D FEATURES Drain Current I = 30A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 100V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 40m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (U

 7.1. Size:307K  inchange semiconductor
 iscnl344d.pdf pdf_icon

ISCNL343D

isc N-Channel MOSFET Transistor ISCNL344D FEATURES Drain Current I = 35A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 100V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 23m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION DC/DC Converter Ideal for high-frequency switching and synchro

 9.1. Size:632K  inchange semiconductor
 iscnl256n.pdf pdf_icon

ISCNL343D

Другие MOSFET... ISCNH327P , ISCNH328W , ISCNH339D , ISCNH340B , ISCNH342P , ISCNH342W , ISCNH345P , ISCNH346F , P60NF06 , ISCNL344D , ISCPL322D , IXFH60N60X2A , MN7R6-60PS , STH80N10LF7-2AG , VP2320N1 , VIS30019 , VIS30023 .

History: JCS10N70C | 3N70G-TN3-R | IRF8513 | IRF8910

 

 

 

 

↑ Back to Top
.