IXFH60N60X2A Todos los transistores

 

IXFH60N60X2A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXFH60N60X2A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 780 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 108 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3540 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.052 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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IXFH60N60X2A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:157K  ixys
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IXFH60N60X2A

X2-Class HiPerFETTM VDSS = 600VIXFH60N60X2APower MOSFET ID25 = 60A RDS(on) 52m AEC Q101 QualifiedN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-247Fast Intrinsic DiodeGDSymbol Test Conditions Maximum RatingsSD (Tab)VDSS TJ = 25C to 150C 600 VG = Gate D = DrainVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 600 VS = Source Ta

 ..2. Size:302K  inchange semiconductor
 ixfh60n60x2a.pdf pdf_icon

IXFH60N60X2A

isc N-Channel MOSFET Transistor IXFH60N60X2AFEATURESDrain Current : I = 60A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 52m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid drive.

 4.1. Size:166K  ixys
 ixfh60n60x ixfq60n60x.pdf pdf_icon

IXFH60N60X2A

Preliminary Technical InformationX-Class HiPerFETTM VDSS = 600VIXFQ60N60XPower MOSFET ID25 = 60AIXFH60N60X RDS(on) 55m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-3P (IXFQ)Fast Intrinsic DiodeGDSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 600 VTO-247 (IXFH)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1

 4.2. Size:260K  inchange semiconductor
 ixfh60n60x.pdf pdf_icon

IXFH60N60X2A

isc N-Channel MOSFET Transistor IXFH60N60XFEATURESWith TO-247 packagingWith low gate drive requirementsEasy to drive100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 600 VDSSV Ga

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History: MTE050N15BRV8 | IRF5805TRPBF | NCEP036N10MSL

 

 
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