TX50N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TX50N06
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 85 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 50 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 50 nC
   Tiempo de subida (tr): 5.1 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 158 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

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TX50N06 Datasheet (PDF)

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tx50n06.pdf

TX50N06N channel 60V MOSFETDescription FeaturesThe TX50N06 is the N-Channel logic enhancementVDS60Vmode power field effect transistors are produced using high cellRDS(on)Max.20mdensity, DMOS trench technology.This high density process isIDespecially tailored to minimize on-state resistance.These50Adevices are particularly suited for low voltage application. High

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