TX50N06 Todos los transistores

 

TX50N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TX50N06
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 85 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5.1 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 158 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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TX50N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1312K  xds
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TX50N06

TX50N06N channel 60V MOSFETDescription FeaturesThe TX50N06 is the N-Channel logic enhancementVDS60Vmode power field effect transistors are produced using high cellRDS(on)Max.20mdensity, DMOS trench technology.This high density process isIDespecially tailored to minimize on-state resistance.These50Adevices are particularly suited for low voltage application. High

Otros transistores... WTM2302 , WTM2305 , WTM2306 , WTM3400 , WTM3401 , WTM3415 , TX15N10B , TX40N06B , K3569 , XG65T125PS1B , XG65T230PS1B , XGP6508B , XGP6510B , YWNM6001 , 2N7002AK , 2310 , 3407 .

History: NTBLS4D0N15MC | RTU002P02 | BUZ11S2 | IRLML2803TRPBF | R6024ENZ | HAT3032R | RU2H50R

 

 
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