TX50N06 Todos los transistores

 

TX50N06 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TX50N06

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 85 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5.1 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 158 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm

Encapsulados: TO252

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TX50N06 datasheet

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TX50N06

TX50N06 N channel 60V MOSFET Description Features The TX50N06 is the N-Channel logic enhancement VDS 60V mode power field effect transistors are produced using high cell RDS(on)Max. 20m density, DMOS trench technology.This high density process is ID especially tailored to minimize on-state resistance.These 50A devices are particularly suited for low voltage application. High

Otros transistores... WTM2302 , WTM2305 , WTM2306 , WTM3400 , WTM3401 , WTM3415 , TX15N10B , TX40N06B , IRF9540 , XG65T125PS1B , XG65T230PS1B , XGP6508B , XGP6510B , YWNM6001 , 2N7002AK , 2310 , 3407 .

History: IXFB170N30P | APT50M80LVFR

 

 

 

 

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