XG65T230PS1B Todos los transistores

 

XG65T230PS1B MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: XG65T230PS1B

Tipo de FET: GaN

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.27 Ohm

Encapsulados: TO220

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XG65T230PS1B datasheet

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XG65T230PS1B

XG65T230PS1B 650V GaN Power Transistor (FET) Features Easy to use, compatible with standard gate drivers Product Summary Low Q , no free-wheeling diode required V 650 V rr DSS Excellent Q x R product (FOM) R 230 m g DS(on) DS(on), typ Low switching loss Q 12.5 nC G, typ RoHS compliant and Halogen-free Q 38 nC RR, typ Applications Power adapters Tele

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XG65T230PS1B

XG65T125PS1B 650V GaN Power Transistor (FET) Features Easy to use, compatible with standard gate drivers Product Summary Low Q , no free-wheeling diode required V 650 V rr DSS Excellent Q x R product (FOM) R 125 m g DS(on) DS(on), typ Low switching loss Q 12.5 nC G, typ RoHS compliant and Halogen-free Q 38 nC RR, typ Applications Power adapters Tele

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