XG65T230PS1B MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: XG65T230PS1B
Тип транзистора: GaN
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 14 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.27 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для XG65T230PS1B
XG65T230PS1B Datasheet (PDF)
xg65t230ps1b.pdf
XG65T230PS1B650V GaN Power Transistor (FET)Features Easy to use, compatible with standard gate drivers Product Summary Low Q , no free-wheeling diode required V 650 Vrr DSS Excellent Q x R product (FOM) R 230 mg DS(on) DS(on), typ Low switching lossQ 12.5 nCG, typ RoHS compliant and Halogen-freeQ 38 nCRR, typApplications Power adapters Tele
xg65t125ps1b.pdf
XG65T125PS1B650V GaN Power Transistor (FET)Features Easy to use, compatible with standard gate drivers Product Summary Low Q , no free-wheeling diode required V 650 Vrr DSS Excellent Q x R product (FOM) R 125 mg DS(on) DS(on), typ Low switching lossQ 12.5 nCG, typ RoHS compliant and Halogen-freeQ 38 nCRR, typApplications Power adapters Tele
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918