SPA65R72G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SPA65R72G
Código: 65R72G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 417 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 47 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 5 V
Carga de la puerta (Qg): 104 nC
Tiempo de subida (tr): 31 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 185 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.072 Ohm
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SPA65R72G
SPA65R72G Datasheet (PDF)
spa65r72g.pdf
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spa65r38g.pdf
SPA65R38G Sinai Power Technologies www.sinai-power.com N-channel Power MOSFET PRODUCT SUMMARY Features V (V) at T max. 700 DS J New Technology For High Voltage Device R max. at 25oC (m) V =10V 38 DS(on) GS ID=69A(Vgs=10V) Q max. (nC) 250 g Ultra Low Gate Charge Q (nC) 33 gs Improved dv/dt Capability Q (nC) 65 gd RoHS Compliant Configu
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History: OSG60R069HZF