SPA65R72G Todos los transistores

 

SPA65R72G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SPA65R72G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 417 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 47 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 31 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 185 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.072 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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SPA65R72G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:796K  cn sinai power
 spa65r72g.pdf pdf_icon

SPA65R72G

SPA65R72G Sinai Power Technologies www.sinai-power.com N-channel Power MOSFET PRODUCT SUMMARY Features V (V) at T max. 700 DS J ID=47A(Vgs=10V) R max. at 25oC (m) V =10V 72 DS(on) GS Ultra Low Gate Charge Q max. (nC) 130 g Improved dv/dt Capability Q (nC) 30 gs RoHS compliant Q (nC) 34 gdConfiguration single Applications Switching

 8.1. Size:690K  cn sinai power
 spa65r38g.pdf pdf_icon

SPA65R72G

SPA65R38G Sinai Power Technologies www.sinai-power.com N-channel Power MOSFET PRODUCT SUMMARY Features V (V) at T max. 700 DS J New Technology For High Voltage Device R max. at 25oC (m) V =10V 38 DS(on) GS ID=69A(Vgs=10V) Q max. (nC) 250 g Ultra Low Gate Charge Q (nC) 33 gs Improved dv/dt Capability Q (nC) 65 gd RoHS Compliant Configu

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History: IAUC100N04S6N015 | 2SK2147-01R | IAUC100N04S6N028 | JSM7409B

 

 
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