Справочник MOSFET. SPA65R72G

 

SPA65R72G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SPA65R72G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 417 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 47 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 31 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 185 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.072 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для SPA65R72G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPA65R72G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:796K  cn sinai power
 spa65r72g.pdf pdf_icon

SPA65R72G

SPA65R72G Sinai Power Technologies www.sinai-power.com N-channel Power MOSFET PRODUCT SUMMARY Features V (V) at T max. 700 DS J ID=47A(Vgs=10V) R max. at 25oC (m) V =10V 72 DS(on) GS Ultra Low Gate Charge Q max. (nC) 130 g Improved dv/dt Capability Q (nC) 30 gs RoHS compliant Q (nC) 34 gdConfiguration single Applications Switching

 8.1. Size:690K  cn sinai power
 spa65r38g.pdf pdf_icon

SPA65R72G

SPA65R38G Sinai Power Technologies www.sinai-power.com N-channel Power MOSFET PRODUCT SUMMARY Features V (V) at T max. 700 DS J New Technology For High Voltage Device R max. at 25oC (m) V =10V 38 DS(on) GS ID=69A(Vgs=10V) Q max. (nC) 250 g Ultra Low Gate Charge Q (nC) 33 gs Improved dv/dt Capability Q (nC) 65 gd RoHS Compliant Configu

Другие MOSFET... XGP6510B , YWNM6001 , 2N7002AK , 2310 , 3407 , SPA22N65G , SPA24N50G , SPA65R38G , AON7410 , SPC10N65G , SPC10N80G , SPC16N65G , SPC18N50G , SPC20N65G , SPC4N65G , SPC65R180G , SPB65R180G .

History: RS1E150GN | FTK3610 | 2SK544 | NTMFD6H840NLT1G | AOC2415 | AO4423-L | IRFPC60PBF

 

 
Back to Top

 


 
.