Справочник MOSFET. SPA65R72G

 

SPA65R72G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SPA65R72G
   Маркировка: 65R72G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 417 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 47 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 104 nC
   Время нарастания (tr): 31 ns
   Выходная емкость (Cd): 185 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.072 Ohm
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для SPA65R72G

 

 

SPA65R72G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:796K  cn sinai power
spa65r72g.pdf

SPA65R72G
SPA65R72G

SPA65R72G Sinai Power Technologies www.sinai-power.com N-channel Power MOSFET PRODUCT SUMMARY Features V (V) at T max. 700 DS J ID=47A(Vgs=10V) R max. at 25oC (m) V =10V 72 DS(on) GS Ultra Low Gate Charge Q max. (nC) 130 g Improved dv/dt Capability Q (nC) 30 gs RoHS compliant Q (nC) 34 gdConfiguration single Applications Switching

 8.1. Size:690K  cn sinai power
spa65r38g.pdf

SPA65R72G
SPA65R72G

SPA65R38G Sinai Power Technologies www.sinai-power.com N-channel Power MOSFET PRODUCT SUMMARY Features V (V) at T max. 700 DS J New Technology For High Voltage Device R max. at 25oC (m) V =10V 38 DS(on) GS ID=69A(Vgs=10V) Q max. (nC) 250 g Ultra Low Gate Charge Q (nC) 33 gs Improved dv/dt Capability Q (nC) 65 gd RoHS Compliant Configu

Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , 7N60 , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

History: NCE60NF040T

 

 
Back to Top