SPD7N65G Todos los transistores

 

SPD7N65G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SPD7N65G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 160 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.3 Ohm

Encapsulados: TO252

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SPD7N65G datasheet

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SPD7N65G

SPD7N65G Sinai Power Technologies www.sinai-power.com N-channel Power MOSFET PRODUCT SUMMARY Features V (V) at T max. 700 DS J ID=7A(Vgs=10V) R max. at 25oC ( ) V =10V 1.3 DS(on) GS Ultra Low Gate Charge Q max. (nC) 42 g Improved dv/dt Capability Q (nC) 6 gs 100% Avalanche Tested Q (nC) 12 gd RoHS compliant Configuration single Appli

Otros transistores... SPC65R360G , SPE65R360G , SPD65R360G , SPC65R90G , SPC7N65G , SPC9N50G , SPD3N80G , SPD5N50G , AO4407 , SPE4N65G , SPE7N65G , TDM31035 , TDM31050 , TDM31056 , TDM31058 , TDM31064 , TDM31066 .

History: FDMS7606 | OSG65R900DTF | TMP4N65Z

 

 

 

 

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