TDM31058 Todos los transistores

 

TDM31058 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TDM31058
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 405 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0135 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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TDM31058 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:575K  techcode semi
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TDM31058

DATASHEETTechcodeN-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM31058DESCRIPTIONTheTDM31058usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.GENERALFEATURES RDS(ON)

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TDM31058

DATASHEETTechcodeN-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM31050DESCRIPTIONTheTDM31050usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.GENERALFEATURES RDS(ON)

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TDM31058

DATASHEETTechcodeN-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM31056DESCRIPTIONTheTDM31056usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.GENERALFEATURES RDS(ON)

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TDM31058

DATASHEETTechcodeP-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM31035DESCRIPTIONTheTDM31035usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.GENERALFEATURES 100V/13ARDS(ON)

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History: P5506HVG | FQP1N60 | RFK35N10 | IPA90R1K2C3 | P8008BV | DMG7N65SCT | IRFZ14SPBF

 

 
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