ZVN4210A Todos los transistores

 

ZVN4210A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ZVN4210A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.45 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.4 V

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm

Encapsulados: ELINE

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ZVN4210A datasheet

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ZVN4210A

N-CHANNEL ENHANCEMENT 0A ZVN4210A MODE VERTICAL DMOS FET ISSUE 2 MARCH 94 FEATURES * 100 Volt VDS * RDS(on)= 1.5 * Spice model available D G S E-Line TO92 Compatible ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT Drain-Source Voltage VDS 100 V 10 Continuous Drain Current at Tamb=25 C ID 450 mA Pulsed Drain Current IDM 6A Gate-Source Voltage VGS 20 V Power

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ZVN4210A

N-CHANNEL ENHANCEMENT 0A ZVN4210A MODE VERTICAL DMOS FET ISSUE 2 MARCH 94 FEATURES * 100 Volt VDS * RDS(on)= 1.5 * Spice model available D G S E-Line TO92 Compatible ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT Drain-Source Voltage VDS 100 V 10 Continuous Drain Current at Tamb=25 C ID 450 mA Pulsed Drain Current IDM 6A Gate-Source Voltage VGS 20 V Power

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ZVN4210A

SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT ZVN4210G MODE VERTICAL DMOS FET ISSUE 2 - NOVEMBER 1995 FEATURES D * Low RDS(on) = 1.5 PARTMARKING DETAIL - ZVN4210 S D G ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT Drain-Source Voltage VDS 100 V Continuous Drain Current at Tamb=25 C ID 0.8 A Pulsed Drain Current IDM 6A Gate-Source Voltage VGS 20 V Power Dissipation at Tamb=25 C P

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ZVN4210A

SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT ZVN4210G MODE VERTICAL DMOS FET ISSUE 2 - NOVEMBER 1995 FEATURES D * Low RDS(on) = 1.5 PARTMARKING DETAIL - ZVN4210 S D G ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT Drain-Source Voltage VDS 100 V Continuous Drain Current at Tamb=25 C ID 0.8 A Pulsed Drain Current IDM 6A Gate-Source Voltage VGS 20 V Power Dissipation at Tamb=25 C P

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