ZVN4210A - описание и поиск аналогов

 

ZVN4210A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ZVN4210A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.45 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: ELINE

Аналог (замена) для ZVN4210A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ZVN4210A даташит

 ..1. Size:42K  diodes
 zvn4210a.pdf pdf_icon

ZVN4210A

N-CHANNEL ENHANCEMENT 0A ZVN4210A MODE VERTICAL DMOS FET ISSUE 2 MARCH 94 FEATURES * 100 Volt VDS * RDS(on)= 1.5 * Spice model available D G S E-Line TO92 Compatible ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT Drain-Source Voltage VDS 100 V 10 Continuous Drain Current at Tamb=25 C ID 450 mA Pulsed Drain Current IDM 6A Gate-Source Voltage VGS 20 V Power

 0.1. Size:31K  diodes
 zvn4210astoa zvn4210astob zvn4210astz.pdf pdf_icon

ZVN4210A

N-CHANNEL ENHANCEMENT 0A ZVN4210A MODE VERTICAL DMOS FET ISSUE 2 MARCH 94 FEATURES * 100 Volt VDS * RDS(on)= 1.5 * Spice model available D G S E-Line TO92 Compatible ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT Drain-Source Voltage VDS 100 V 10 Continuous Drain Current at Tamb=25 C ID 450 mA Pulsed Drain Current IDM 6A Gate-Source Voltage VGS 20 V Power

 7.1. Size:32K  diodes
 zvn4210gta zvn4210gtc.pdf pdf_icon

ZVN4210A

SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT ZVN4210G MODE VERTICAL DMOS FET ISSUE 2 - NOVEMBER 1995 FEATURES D * Low RDS(on) = 1.5 PARTMARKING DETAIL - ZVN4210 S D G ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT Drain-Source Voltage VDS 100 V Continuous Drain Current at Tamb=25 C ID 0.8 A Pulsed Drain Current IDM 6A Gate-Source Voltage VGS 20 V Power Dissipation at Tamb=25 C P

 7.2. Size:42K  diodes
 zvn4210g.pdf pdf_icon

ZVN4210A

SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT ZVN4210G MODE VERTICAL DMOS FET ISSUE 2 - NOVEMBER 1995 FEATURES D * Low RDS(on) = 1.5 PARTMARKING DETAIL - ZVN4210 S D G ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT Drain-Source Voltage VDS 100 V Continuous Drain Current at Tamb=25 C ID 0.8 A Pulsed Drain Current IDM 6A Gate-Source Voltage VGS 20 V Power Dissipation at Tamb=25 C P

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... ZVN3310F , ZVN3320A , ZVN3320F , ZVN4106F , ZVN4206A , ZVN4206AV , ZVN4206G , ZVN4206GV , IRF1010E , ZVN4210G , ZVN4306A , ZVN4306AV , ZVN4306G , ZVN4306GV , ZVN4310A , ZVN4310G , ZVN4424A .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.