TDM3430 Todos los transistores

 

TDM3430 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TDM3430
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1500 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0017 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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TDM3430 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:205K  techcode semi
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TDM3430

DATASHEETTechcodeN-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3430DESCRIPTIONTheTDM3430usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.GENERALFEATURES RDS(ON)

 8.1. Size:368K  techcode semi
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TDM3430

DATASHEETTechcodeN-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3436DESCRIPTIONTheTDM3436usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.GENERALFEATURES RDS(ON)

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TDM3430

DATASHEETTechcodeN-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3434DESCRIPTIONTheTDM3434usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.GENERALFEATURES RDS(ON)

 8.3. Size:370K  techcode semi
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TDM3430

DATASHEETTechcodeN-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3432DESCRIPTIONTheTDM3432usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.GENERALFEATURES RDS(ON)

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History: AFN4946W | NCE65N760F

 

 
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