TDM3432 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TDM3432
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 11.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 750 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0034 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263

Búsqueda de reemplazo de MOSFET TDM3432

TDM3432 Datasheet (PDF)

..1. Size:370K techcode semi
tdm3432.pdf

DATASHEETTechcodeN-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3432DESCRIPTIONTheTDM3432usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.GENERALFEATURES RDS(ON)

8.1. Size:368K techcode semi
tdm3436.pdf

DATASHEETTechcodeN-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3436DESCRIPTIONTheTDM3436usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.GENERALFEATURES RDS(ON)

8.2. Size:375K techcode semi
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DATASHEETTechcodeN-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3434DESCRIPTIONTheTDM3434usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.GENERALFEATURES RDS(ON)

8.3. Size:205K techcode semi
tdm3430.pdf

DATASHEETTechcodeN-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3430DESCRIPTIONTheTDM3430usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.GENERALFEATURES RDS(ON)

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Liste

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