TDM3432 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

TDM3432 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TDM3432

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 750 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0034 Ohm

Encapsulados: TO263

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TDM3432 datasheet

..1. Size:370K techcode semi
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DATASHEET Techcode N-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3432 DESCRIPTION The TDM3432 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. GENERAL FEATURES RDS(ON)

8.1. Size:368K techcode semi
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DATASHEET Techcode N-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3436 DESCRIPTION The TDM3436 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. GENERAL FEATURES RDS(ON)

8.2. Size:375K techcode semi
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DATASHEET Techcode N-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3434 DESCRIPTION The TDM3434 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. GENERAL FEATURES RDS(ON)

8.3. Size:205K techcode semi
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DATASHEET Techcode N-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3430 DESCRIPTION The TDM3430 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. GENERAL FEATURES RDS(ON)

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