TDM3726 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TDM3726
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 250 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 40 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 200 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.2 V
Carga de la puerta (Qg): 70 nC
Tiempo de subida (tr): 21 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 814 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0026 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
Búsqueda de reemplazo de MOSFET TDM3726
TDM3726 Datasheet (PDF)
tdm3726.pdf
DATASHEETTechcodeN-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3726DESCRIPTIONTheTDM3726usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.GENERALFEATURES RDS(ON)
tdm3742.pdf
DATASHEETTechcodeN-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3742DESCRIPTIONTheTDM3742usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.GENERALFEATURES 80V/196ARDS(ON)
tdm3744.pdf
DATASHEETTechcodeN-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3744DESCRIPTIONTheTDM3744usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.GENERALFEATURES 80V/196ARDS(ON)
tdm3736.pdf
DATASHEETTechcodeN-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3736DESCRIPTIONTheTDM3736usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.GENERALFEATURES 100V/112ARDS(ON)
Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
