TDM3726 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: TDM3726
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 250 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 200 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 70 nC
Время нарастания (tr): 21 ns
Выходная емкость (Cd): 814 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0026 Ohm
Тип корпуса: TO263
TDM3726 Datasheet (PDF)
tdm3726.pdf
DATASHEETTechcodeN-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3726DESCRIPTIONTheTDM3726usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.GENERALFEATURES RDS(ON)
tdm3742.pdf
DATASHEETTechcodeN-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3742DESCRIPTIONTheTDM3742usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.GENERALFEATURES 80V/196ARDS(ON)
tdm3744.pdf
DATASHEETTechcodeN-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3744DESCRIPTIONTheTDM3744usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.GENERALFEATURES 80V/196ARDS(ON)
tdm3736.pdf
DATASHEETTechcodeN-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3736DESCRIPTIONTheTDM3736usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.GENERALFEATURES 100V/112ARDS(ON)
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: IXTA80N10T7
