TF2305B Todos los transistores

 

TF2305B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TF2305B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 16 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 112 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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TF2305B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:623K  cn tuofeng
 tf2305b.pdf pdf_icon

TF2305B

SHENZHEN TUOFENG SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTDSOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETSTF2305BTF2305B P-Channel 16-V(D-S) MOSFETV(BR)DSS RDS(on)MAX IDSOT-230.060@-4.5V-16V -4.0A30.080@-2.5V1.GATE2.SOURCE3.DRAIN12General FEATURETrenchFET Power MOSFETMARKING Equivalent CircuitLead free product is acquiredSurface mount packageA5BTF wAPPLICATION

 9.1. Size:57K  ixys
 ixtf230n085t.pdf pdf_icon

TF2305B

Advance Technical InformationVDSS = 85 VIXTF230N085TTrenchMVTMID25 = 130 APower MOSFET RDS(on) 5.3 m (Electrically Isolated Back Surface)N-Channel Enhancement ModeISOPLUS i4-PakTM (5-lead) (IXTF)Avalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 175C 85 VVDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1 M 55 VGVGSM Tran

 9.2. Size:703K  cn tuofeng
 tf2301a.pdf pdf_icon

TF2305B

SHENZHEN TUOFENG SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTDSOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETSTF2301ATF2301A P-Channel 20-V(D-S) MOSFETV(BR)DSS RDS(on)MAX IDSOT-230.085@-4.5V-20V -3.0A30.110@-2.5V1.GATE2.SOURCE3.DRAIN12General FEATURETrenchFET Power MOSFETMARKING Equivalent CircuitLead free product is acquiredSurface mount packageA1 wAPPLICATIONL

 9.3. Size:627K  cn tuofeng
 tf2307.pdf pdf_icon

TF2305B

SHENZHEN TUOFENG SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTDSOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETSTF2307TF2307 P-Channel 30-V(D-S) MOSFETV(BR)DSS RDS(on)MAX IDSOT-230.075@-10V-30V -3.5A30.095@-4.5V1.GATE2.SOURCE3.DRAIN12General FEATURETrenchFET Power MOSFETMARKING Equivalent CircuitLead free product is acquiredSurface mount packageA79TF wAPPLICATIONL

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History: FIR18N20G | AON6458 | HGB058N08SL | AON6572 | OSG65R130HT3ZF | IXTK600N04T2 | IPD06N03LBG

 

 
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