TF2310 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TF2310

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 34 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm

Encapsulados: SOT23

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TF2310 datasheet

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TF2310

SHENZHEN TUOFENG SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS TF2310 N-Channel 60-V(D-S) MOSFET TF2310 V(BR)DSS RDS(on)MAX ID SOT-23 0.090 @ 10V 3 60V 3.0 A 1.GATE 0.120 @ 4.5 V 2.SOURCE 3.DRAIN 1 2 General Features VDS =60V,ID =3A RDS(ON)

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TF2310

SHENZHEN TUOFENG SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS TF2312 N-Channel 20-V(D-S) MOSFET TF2312 V(BR)DSS RDS(on)MAX ID SOT-23 0.031 @ 4.5V 3 1.GATE 20V 0.037 @ 2.5V 5.0A 2.SOURCE 3.DRAIN 0.047 @ 1.8V 1 2 General FEATURE TrenchFET Power MOSFET Equivalent Circuit MARKING Lead free product is acquired Surface mount package AE9TF w A

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TF2310

SHENZHEN TUOFENG SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD SOT-23-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS TF2317 TF2317 P-Channel 20-V(D-S) MOSFET V(BR)DSS RDS(on)MAX ID SOT-23-3L 0.028 @-4.5V 3 0.038 @-2.5V -4.5A -20V 1.GATE 2.SOURCE 0.050 @-1.8V 3.DRAIN 1 2 General FEATURE TrenchFET Power MOSFET MARKING Equivalent Circuit Lead free product is acquired Surface mount package w

Otros transistores... TDM3736, TDM3742, TDM3744, TF2300, TF2301, TF2302, TF2305B, TF2306, IRF540, TF3400, TF3401, TF3402, TF3407, TF3414, TF3415, TF3423, TW0115SR-Y