TF3414 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TF3414
Código: AE9TF*
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 1.25 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 4.2 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1 V
Carga de la puerta (Qg): 6.2 nC
Tiempo de subida (tr): 6.3 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 66 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.03 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de MOSFET TF3414
TF3414 Datasheet (PDF)
tf3414.pdf
SHENZHEN TUOFENG SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTDSOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETSTF3414N-Channel 20-V(D-S) MOSFETTF3414V(BR)DSS RDS(on)MAX IDSOT-230.030@ 4.5V320V4.2 A1.GATE0.040@ 2.5V2.SOURCE3.DRAIN12General FEATURETrenchFET Power MOSFETEquivalent CircuitLead free product is acquiredMARKINGSurface mount packageAE9TF wAPPLICATION
tf3415.pdf
SHENZHEN TUOFENG SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTDSOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETSTF3415P-Channel 15-V(D-S) MOSFETTF3415V(BR)DSS RDS(on)MAX IDSOT-23 SOT-23-3L/0.039@-4.5V3-15V 0.052@-2.5V-4.3A1.GATE2.SOURCE0.063@-1.8V3.DRAIN12General FEATURETrenchFET Power MOSFETMARKING Equivalent CircuitLead free product is acquiredSurface mount packa
tf3410.pdf
SHENZHEN TUOFENG SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTDSOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS3410TFTF N-Channel 30-V(D-S) MOSFET3410V(BR)DSS RDS(on)MAX IDSOT-230.028@ 10V31.GATE30V5.8A0.033@ 4.5V2.SOURCE3.DRAIN10.042@ 2.5V 2General FEATUREEquivalent CircuitMARKINGTrenchFET Power MOSFETLead free product is acquiredSurface mount packageAA1TF w
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