TF3414 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TF3414

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6.3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 66 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm

Encapsulados: SOT23

 Búsqueda de reemplazo de TF3414 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

TF3414 datasheet

 ..1. Size:2974K  cn tuofeng
tf3414.pdf pdf_icon

TF3414

 9.1. Size:1451K  cn tuofeng
tf3415.pdf pdf_icon

TF3414

SHENZHEN TUOFENG SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS TF3415 P-Channel 15-V(D-S) MOSFET TF3415 V(BR)DSS RDS(on)MAX ID SOT-23 SOT-23-3L / 0.039 @-4.5V 3 -15V 0.052 @-2.5V -4.3A 1.GATE 2.SOURCE 0.063 @-1.8V 3.DRAIN 1 2 General FEATURE TrenchFET Power MOSFET MARKING Equivalent Circuit Lead free product is acquired Surface mount packa

 9.2. Size:1464K  cn tuofeng
tf3410.pdf pdf_icon

TF3414

SHENZHEN TUOFENG SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS 3410 TF TF N-Channel 30-V(D-S) MOSFET 3410 V(BR)DSS RDS(on)MAX ID SOT-23 0.028 @ 10V 3 1.GATE 30V 5.8A 0.033 @ 4.5V 2.SOURCE 3.DRAIN 1 0.042 @ 2.5V 2 General FEATURE Equivalent Circuit MARKING TrenchFET Power MOSFET Lead free product is acquired Surface mount package AA1TF w

Otros transistores... TF2302, TF2305B, TF2306, TF2310, TF3400, TF3401, TF3402, TF3407, IRF1404, TF3415, TF3423, TW0115SR-Y, TW1504ESG, TW1515ASI, TW1525SI, TW1527SI, TW1529SJ