TF3414. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TF3414

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6.3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 66 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для TF3414

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TF3414 даташит

 ..1. Size:2974K  cn tuofeng
 tf3414.pdf pdf_icon

TF3414

 9.1. Size:1451K  cn tuofeng
 tf3415.pdf pdf_icon

TF3414

SHENZHEN TUOFENG SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS TF3415 P-Channel 15-V(D-S) MOSFET TF3415 V(BR)DSS RDS(on)MAX ID SOT-23 SOT-23-3L / 0.039 @-4.5V 3 -15V 0.052 @-2.5V -4.3A 1.GATE 2.SOURCE 0.063 @-1.8V 3.DRAIN 1 2 General FEATURE TrenchFET Power MOSFET MARKING Equivalent Circuit Lead free product is acquired Surface mount packa

 9.2. Size:1464K  cn tuofeng
 tf3410.pdf pdf_icon

TF3414

SHENZHEN TUOFENG SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS 3410 TF TF N-Channel 30-V(D-S) MOSFET 3410 V(BR)DSS RDS(on)MAX ID SOT-23 0.028 @ 10V 3 1.GATE 30V 5.8A 0.033 @ 4.5V 2.SOURCE 3.DRAIN 1 0.042 @ 2.5V 2 General FEATURE Equivalent Circuit MARKING TrenchFET Power MOSFET Lead free product is acquired Surface mount package AA1TF w

Другие IGBT... TF2302, TF2305B, TF2306, TF2310, TF3400, TF3401, TF3402, TF3407, IRF1404, TF3415, TF3423, TW0115SR-Y, TW1504ESG, TW1515ASI, TW1525SI, TW1527SI, TW1529SJ