TW1515ASI MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TW1515ASI
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 1.25 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 5.5 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1.2 V
Carga de la puerta (Qg): 10 nC
Tiempo de subida (tr): 11 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 300 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.03 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de MOSFET TW1515ASI
TW1515ASI Datasheet (PDF)
tw1515asi.pdf
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TW1515ASIAO3400SI2305 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Features General Description VDS = 20V, load switch for Portable Applications ID = 5.5A DC/DC Converters RDS(ON) @VGS= 10V, TYP 25m RDS(ON) @VGS= 4.5V, TYP 27m RDS(ON) @VGS= 2.5V, TYP 34m Pin Configurations SOT-23 Absolute Maximum Ratings @T =25 unless otherwise
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