TW1515ASI MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TW1515ASI
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 10 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET TW1515ASI

TW1515ASI Datasheet (PDF)

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tw1515asi.pdf

TW1515ASIAO3400SI2305 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Features General Description VDS = 20V, load switch for Portable Applications ID = 5.5A DC/DC Converters RDS(ON) @VGS= 10V, TYP 25m RDS(ON) @VGS= 4.5V, TYP 27m RDS(ON) @VGS= 2.5V, TYP 34m Pin Configurations SOT-23 Absolute Maximum Ratings @T =25 unless otherwise

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History: SIHFPC50

Liste

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