TW1515ASI MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: TW1515ASI
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.25 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5.5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 10 nC
Время нарастания (tr): 11 ns
Выходная емкость (Cd): 300 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.03 Ohm
Тип корпуса: SOT23
TW1515ASI Datasheet (PDF)
..1. Size:977K cn twgmc
tw1515asi.pdf
tw1515asi.pdf
TW1515ASIAO3400SI2305 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Features General Description VDS = 20V, load switch for Portable Applications ID = 5.5A DC/DC Converters RDS(ON) @VGS= 10V, TYP 25m RDS(ON) @VGS= 4.5V, TYP 27m RDS(ON) @VGS= 2.5V, TYP 34m Pin Configurations SOT-23 Absolute Maximum Ratings @T =25 unless otherwise
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
