TW1527SI MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TW1527SI
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.058 Ohm
Encapsulados: SOT23
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TW1527SI datasheet
tw1527si.pdf
TW1527SI P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Features General Description VDS = -30V, Load Switch ID = -4A PWM RDS(ON) @VGS= -10V, TYP 46m RDS(ON) @VGS= -4.5V, TYP 50m RDS(ON) @VGS= -2.5V, TYP 63m Pin Configurations SOT-23 Absolute Maximum Ratings @T =25 unless otherwise noted A Parameter Symbol Ratings Unit Drain-Sou
tw1529sj.pdf
TW1529SJ P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Features General Description VDS = -30V, Load Switch ID = -4A PWM RDS(ON) @VGS= -10V, TYP 46m R DS(ON) @VGS= -4.5V, TYP 50m R DS(ON) @VGS= -2.5V, TYP 63m Pin Configurations SOT23-3L Absolute Maximum Ratings @T =25 unless otherwise noted A Parameter Symbol Ratings Unit Drain-Source Vol
tw1525si.pdf
TW1525SI P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Features General Description VDS = -30V, Power Management in Notebook Computer ID = -4.3A Portable Equipment and Battery Powered Systems RDS(ON) @VGS= -10V, TYP 45m RDS(ON) @VGS= -4.5V, TYP 67m Pin Configurations SOT-23 Absolute Maximum Ratings @T =25 unless otherwise noted A Parameter Symb
Otros transistores... TF3407, TF3414, TF3415, TF3423, TW0115SR-Y, TW1504ESG, TW1515ASI, TW1525SI, IRF3710, TW1529SJ, TW1754SI-X, TW2203FL-Y, TW3134KDW, TW4614SQ-X, TW7404FJ, TW7407FL-Y, TW7408FN
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Liste
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