TW7407FL-Y MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TW7407FL-Y
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 52 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 441 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN3X3-8L
Búsqueda de reemplazo de MOSFET TW7407FL-Y
TW7407FL-Y Datasheet (PDF)
tw7407fl-y.pdf
TW7407FL-YP-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Features General Description VDS = -30V, DC/DC Converters in Computing, Servers, and POL ID = -50A Isolated DC/DC Converters in Telecom and Industrial RDS(ON) @VGS= -10V, TYP 6m RDS(ON) @VGS= -4.5V, TYP 10.3m Pin Configurations PDFN3*3-8L Absolute Maximum Ratings @T =25 unless otherwise noted
tw7404fj.pdf
TW7404FJN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Features General Description VDS = 30V, Synchronus Rectification in DC/DC and AC/DC Converters ID = 83.5A Industrial and Motor Drive applications RDS(ON) @VGS= 10V, TYP 2.5m RDS(ON) @VGS= 4.5V, TYP 3.3m Pin Configurations DFN5*6-8L Absolute Maximum Ratings @T =25 unless otherwise noted APara
tw7408fn.pdf
TW7408FNN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Features General Description VDS = 30V, load switch ID = 68A battery protection applications RDS(ON) @VGS= 10V, TYP 2.9m RDS(ON) @VGS= 4.5V, TYP 4.8m Pin Configurations TDFN3.3*3.3-8L Absolute Maximum Ratings @T =25 unless otherwise noted AParameter Symbol Ratings Unit Drain-Source Voltage
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Liste
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