SL17N06D Todos los transistores

 

SL17N06D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SL17N06D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.075 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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SL17N06D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:642K  slkor
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SL17N06D

SL17N06DN-Channel Power MOSFET General Features VDS =60V,ID =17ARDS(ON)

 0.1. Size:631K  slkor
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SL17N06D

SL17N06DN1N-Channel Power MOSFET General Features VDS =60V,ID =17ARDS(ON)

 9.1. Size:278K  international rectifier
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SL17N06D

PD- 95325IRFB17N20DPbF IRFS17N20DPbFSMPS MOSFET IRFSL17N20DPbFHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) max IDl High frequency DC-DC converters200V 0.17 16Al Lead-FreeBenefitsl Low Gate-to-Drain Charge to ReduceSwitching Lossesl Fully Characterized Capacitance IncludingEffective COSS to Simplify Design, (SeeApp. Note AN1001)l Fully Characterized Avalanch

 9.2. Size:140K  international rectifier
 irfb17n20d irfs17n20d irfsl17n20d.pdf pdf_icon

SL17N06D

PD- 93902AIRFB17N20D IRFS17N20DSMPS MOSFET IRFSL17N20DHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) max ID High frequency DC-DC converters200V 0.17 16ABenefits Low Gate-to-Drain Charge to ReduceSwitching Losses Fully Characterized Capacitance IncludingEffective COSS to Simplify Design, (SeeApp. Note AN1001) Fully Characterized Avalanche Voltageand CurrentT

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History: HGN090AE6AL | PHD101NQ03LT | STD10N60M2 | SWB062R08E8T | AP01L60T-H-HF | FP8V50 | NTLUD3A260PZ

 

 
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