SL17N06DN1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SL17N06DN1

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 24 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.073 Ohm

Encapsulados: TO252

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SL17N06DN1 datasheet

 ..1. Size:631K  slkor
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SL17N06DN1

SL17N06DN1 N-Channel Power MOSFET General Features VDS =60V,ID =17A RDS(ON)

 6.1. Size:642K  slkor
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SL17N06DN1

SL17N06D N-Channel Power MOSFET General Features VDS =60V,ID =17A RDS(ON)

 9.1. Size:278K  international rectifier
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SL17N06DN1

PD- 95325 IRFB17N20DPbF IRFS17N20DPbF SMPS MOSFET IRFSL17N20DPbF HEXFET Power MOSFET Applications VDSS RDS(on) max ID l High frequency DC-DC converters 200V 0.17 16A l Lead-Free Benefits l Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses l Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) l Fully Characterized Avalanch

 9.2. Size:140K  international rectifier
 irfb17n20d irfs17n20d irfsl17n20d.pdf pdf_icon

SL17N06DN1

PD- 93902A IRFB17N20D IRFS17N20D SMPS MOSFET IRFSL17N20D HEXFET Power MOSFET Applications VDSS RDS(on) max ID High frequency DC-DC converters 200V 0.17 16A Benefits Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) Fully Characterized Avalanche Voltage and Current T

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