SL17N06DN1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SL17N06DN1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 24 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 9.3 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 9.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.073 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SL17N06DN1

SL17N06DN1 Datasheet (PDF)

..1. Size:631K slkor
sl17n06dn1.pdf

SL17N06DN1N-Channel Power MOSFET General Features VDS =60V,ID =17ARDS(ON)

6.1. Size:642K slkor
sl17n06d.pdf

SL17N06DN-Channel Power MOSFET General Features VDS =60V,ID =17ARDS(ON)

9.1. Size:278K international rectifier
irfb17n20dpbf irfsl17n20dpbf.pdf

PD- 95325IRFB17N20DPbF IRFS17N20DPbFSMPS MOSFET IRFSL17N20DPbFHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) max IDl High frequency DC-DC converters200V 0.17 16Al Lead-FreeBenefitsl Low Gate-to-Drain Charge to ReduceSwitching Lossesl Fully Characterized Capacitance IncludingEffective COSS to Simplify Design, (SeeApp. Note AN1001)l Fully Characterized Avalanch

9.2. Size:140K international rectifier
irfb17n20d irfs17n20d irfsl17n20d.pdf

PD- 93902AIRFB17N20D IRFS17N20DSMPS MOSFET IRFSL17N20DHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) max ID High frequency DC-DC converters200V 0.17 16ABenefits Low Gate-to-Drain Charge to ReduceSwitching Losses Fully Characterized Capacitance IncludingEffective COSS to Simplify Design, (SeeApp. Note AN1001) Fully Characterized Avalanche Voltageand CurrentT

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History: BLF7G20L-200

Liste

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