SL19N120A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SL19N120A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 134 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 14.4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 43 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.195 Ohm
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de SL19N120A MOSFET
SL19N120A Datasheet (PDF)
sl19n120a.pdf
SL19N120ASiC M osfet: : Drain Pin 2 Gate Pin 1: SourcePin 3 UPS DC/DC SL19N120A TO-247-3 T =25C
Otros transistores... SL11N65CF , SL11P06D , SL130N04Q , SL13N45F , SL13N50FS , SL150N03Q , SL17N06D , SL17N06DN1 , 12N60 , SL21N65CK , SL21N65C , SL21N65CF , SL2300 , SL2301 , SL2301S , SL2302 , SL2302S .
History: OSG70R600AF | GSM3981 | CJPF03N80
History: OSG70R600AF | GSM3981 | CJPF03N80
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AGM40P75D | AGM40P75A | AGM40P65E | AGM40P65AP | AGM40P55D | AGM40P55AP | AGM40P55A | AGM40P35D | AGM40P35AP | AGM40P35A-KU | AGM40P35A | AGM40P30D | AGM40P30AP | AGM40P30A | AGM60P20R | AGM60P20D
Popular searches
ecg123 | 2n5551 transistor equivalent | 13009 datasheet | 3dd15d transistor | pa110bda | 2sb1243 | a1123 transistor | skd502t datasheet

