SL420NPD MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SL420NPD

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 2.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 76 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.017 Ohm

Encapsulados: TO252-4

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SL420NPD datasheet

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SL420NPD

SL420NPD AGM420MD N-Channel and P-Channel MOSFET Product Summary General Description The SL420NPD combines advanced trench BVDSS RDSON ID MOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low R DS(ON) . This 40V 14m 30A device is ideal for load switch and battery -40V 28m -28A protection applications. Features Advance high cell density Trench

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