SL7N65F Todos los transistores

 

SL7N65F MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SL7N65F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 27.9 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 108 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220FT
 

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SL7N65F datasheet

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SL7N65F

SL7N65 N-CHANNEL MOSFET MAIN CHARACTERISTICS 7A I D 650V V DSS 1.4 R V =10V DS(ON) GS 30nC Q G APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts based on half bridge LED LED power supplies FEATURES 1 Gate Low

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SL7N65F

SL7N65 N-CHANNEL MOSFET MAIN CHARACTERISTICS 7A I D 650V V DSS 1.4 R V =10V DS(ON) GS 30nC Q G APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts based on half bridge LED LED power supplies FEATURES 1 Gate Low

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