SL7N65F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SL7N65F
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 27.9 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 108 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220FT
Búsqueda de reemplazo de SL7N65F MOSFET
SL7N65F Datasheet (PDF)
sl7n65f sl7n65c.pdf

SL7N65N-CHANNEL MOSFET MAIN CHARACTERISTICS7AID650VVDSS1.4R V =10VDS(ON) GS30nCQGAPPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts based on half bridge LED LED power suppliesFEATURES 1 Gate Low
sl7n65.pdf

SL7N65N-CHANNEL MOSFET MAIN CHARACTERISTICS7AID650VVDSS1.4R V =10VDS(ON) GS30nCQGAPPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts based on half bridge LED LED power suppliesFEATURES 1 Gate Low
Otros transistores... SL48N08Q , SL4N65F , SL4N65I , SL4N65D , SL60N06 , SL60N10Q , SL65N10Q , SL75N06Q , IRF1405 , SL7N65C , SL80N10 , SL8205S , 2N06L07B , 2N06L07P , 2N06L09B , 2N06L09P , 2N06L11B .
History: CJAC13TH06 | FDG315N | FQB5N20TM | 12P10 | FDM20R120AN4G | 14N50 | TMD6N65G
History: CJAC13TH06 | FDG315N | FQB5N20TM | 12P10 | FDM20R120AN4G | 14N50 | TMD6N65G



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMTP330N06D | JMTP3010D | JMTP3008A | JMTP260N03D | JMTP250P03A | JMTP240N03D | JMTP240C03D | JMTP230C04D | JMTP170N06D | JMTP170N06A | JMTP170C04D | JMTP160P03D | JMTP130P04A | JMTP130N04A | JMTP120C03D | JMTL3134KT7
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