SL7N65F - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SL7N65F
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27.9 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 108 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
Тип корпуса: TO220FT
Аналог (замена) для SL7N65F
SL7N65F Datasheet (PDF)
sl7n65f sl7n65c.pdf

SL7N65N-CHANNEL MOSFET MAIN CHARACTERISTICS7AID650VVDSS1.4R V =10VDS(ON) GS30nCQGAPPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts based on half bridge LED LED power suppliesFEATURES 1 Gate Low
sl7n65.pdf

SL7N65N-CHANNEL MOSFET MAIN CHARACTERISTICS7AID650VVDSS1.4R V =10VDS(ON) GS30nCQGAPPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts based on half bridge LED LED power suppliesFEATURES 1 Gate Low
Другие MOSFET... SL48N08Q , SL4N65F , SL4N65I , SL4N65D , SL60N06 , SL60N10Q , SL65N10Q , SL75N06Q , P0903BDG , SL7N65C , SL80N10 , SL8205S , 2N06L07B , 2N06L07P , 2N06L09B , 2N06L09P , 2N06L11B .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: APJ10N65P | APJ10N65T | APJ10N65F | AP65R950 | APJ10N65D | APG80N10T | APG80N10P | APG80N10NF | APG60N10T | APG60N10P | AP100P02NF | AP100N08D | AP100N04NF | AP100N04D | AP100N03Y | AP100N03T
Popular searches
cs7n60f | d613 transistor | fdmc8884 mosfet | k3569 mosfet equivalent | 2sa1370 | 4508nh mosfet | a94 transistor | c5149 datasheet