3482 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3482
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 280 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN3X3-8L
Búsqueda de reemplazo de 3482 MOSFET
3482 Datasheet (PDF)
3482.pdf

SHENZHEN TUOFENG SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTDN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 3482N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description PDFN3X3-8LThe 3482 uses advanced trench technology and 18design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It 27can be used in a wide variety of applications. 364 5General Features Equivalent Cir cuit VD
2sk3482.pdf

DATA SHEETMOS FIELD EFFECT TRANSISTOR2SK3482SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION ORDERING INFORMATION The 2SK3482 is N-channel MOS Field Effect Transistor PART NUMBER PACKAGE designed for high current switching applications. 2SK3482 TO-251 (MP-3)2SK3482-Z TO-252 (MP-3Z)FEATURES Low on-state resistance RDS(on)1 = 33 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 18 A) RDS(
tdm3482.pdf

DATASHEETTechcodeN-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3482DESCRIPTIONTheTDM3482usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.GENERALFEATURES RDS(ON)
Otros transistores... 2SK3090K , 2SK3093LS , 2SK3095LS , 2SK3099LS , IPB051N08N , NDD04N60Z-1G , 15N10 , 15N10B , STF13NM60N , 4420 , 4803A , 6435 , 6764 , 7240 , 7409 , 7409B , 7410 .
History: 7409B | AP3310GH | STB100N6F7 | BSP030 | SWU12N70D | BSC019N04NSG | SWD7N65DA
History: 7409B | AP3310GH | STB100N6F7 | BSP030 | SWU12N70D | BSC019N04NSG | SWD7N65DA



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
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