6764 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 6764
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 42 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 85 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1.9 V
Carga de la puerta (Qg): 37 nC
Tiempo de subida (tr): 3.5 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 700 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.004 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN5X6-8L
Búsqueda de reemplazo de MOSFET 6764
6764 Datasheet (PDF)
6764.pdf
SHENZHEN TUOFENG SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTDN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 6764 30V N-Channel MOSFETGeneral Features PDFN5X6-8LVDS30VTop View Bottom View I (at VGS=10V) 85AD R (at VGS=10V)
jsm6764.pdf
JSM6764N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 30V N-Channel MOSFETN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET General Features PDFN5X6-8LVDS30VTop View Bottom View I (at VGS=10V) 85AD R (at VGS=10V)
2n6764 2n6766 2n6768 2n6770.pdf
2N6764, JANTX2N6764, JANTXV2N6764 2N6768, JANTX2N6768, JANTXV2N6768 2N6766, JANTX2N6766, JANTXV2N6766 2N6770, JANTX2N6770, JANTXV2N6770 JANTX, JANTXV POWER MOSFET IN TO-204 PACKAGE,QUALIFIED TO MIL-PRF-19500/543100V Thru 500V, Up to 38A, N-Channel, Enhancement Mode MOSFET Power TransistorFEATURESLow RDS(on)Ease of ParallelingQualified to MIL-PRF-19500/543DESCRIPTION
aon6764.pdf
AON676430V N-Channel SRFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOS Technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
