6764 Todos los transistores

 

6764 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 6764
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 85 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 700 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6-8L
 

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6764 Datasheet (PDF)

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6764

SHENZHEN TUOFENG SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTDN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 6764 30V N-Channel MOSFETGeneral Features PDFN5X6-8LVDS30VTop View Bottom View I (at VGS=10V) 85AD R (at VGS=10V)

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6764

JSM6764N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 30V N-Channel MOSFETN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET General Features PDFN5X6-8LVDS30VTop View Bottom View I (at VGS=10V) 85AD R (at VGS=10V)

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2N6764, JANTX2N6764, JANTXV2N6764 2N6768, JANTX2N6768, JANTXV2N6768 2N6766, JANTX2N6766, JANTXV2N6766 2N6770, JANTX2N6770, JANTXV2N6770 JANTX, JANTXV POWER MOSFET IN TO-204 PACKAGE,QUALIFIED TO MIL-PRF-19500/543100V Thru 500V, Up to 38A, N-Channel, Enhancement Mode MOSFET Power TransistorFEATURESLow RDS(on)Ease of ParallelingQualified to MIL-PRF-19500/543DESCRIPTION

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History: BL40N25-W | UTT50P10 | APT6038BFLLG

 

 
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