6764 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: 6764
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 3.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 700 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
Тип корпуса: PDFN5X6-8L
Аналог (замена) для 6764
6764 Datasheet (PDF)
6764.pdf

SHENZHEN TUOFENG SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTDN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 6764 30V N-Channel MOSFETGeneral Features PDFN5X6-8LVDS30VTop View Bottom View I (at VGS=10V) 85AD R (at VGS=10V)
jsm6764.pdf

JSM6764N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 30V N-Channel MOSFETN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET General Features PDFN5X6-8LVDS30VTop View Bottom View I (at VGS=10V) 85AD R (at VGS=10V)
2n6764 2n6766 2n6768 2n6770.pdf

2N6764, JANTX2N6764, JANTXV2N6764 2N6768, JANTX2N6768, JANTXV2N6768 2N6766, JANTX2N6766, JANTXV2N6766 2N6770, JANTX2N6770, JANTXV2N6770 JANTX, JANTXV POWER MOSFET IN TO-204 PACKAGE,QUALIFIED TO MIL-PRF-19500/543100V Thru 500V, Up to 38A, N-Channel, Enhancement Mode MOSFET Power TransistorFEATURESLow RDS(on)Ease of ParallelingQualified to MIL-PRF-19500/543DESCRIPTION
Другие MOSFET... IPB051N08N , NDD04N60Z-1G , 15N10 , 15N10B , 3482 , 4420 , 4803A , 6435 , 7N60 , 7240 , 7409 , 7409B , 7410 , 7430 , 7506 , 7788 , 8810B .
History: 7409 | BSB056N10NN3G
History: 7409 | BSB056N10NN3G



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
2sa970 datasheet | 2sc1627 | aoe6936 datasheet | g40t60an3h datasheet | j5027-r datasheet | transistor a1015 datasheet | bf199 transistor equivalent | bu801