7409B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 7409B
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 350 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.017 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN3X3-8L
Búsqueda de reemplazo de 7409B MOSFET
7409B Datasheet (PDF)
7409b.pdf

SHENZHEN TUOFENG SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTDPDFN 3x3 Plastic-Encapsulate MOSFETS 7409BP-Channel Enhancement Mode Power MOSFET PDFN3X3-8LDescription The 7409B uses advanced trench technology to provide 18excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate 2736voltages as low as 4.5V. 45General Features Equivalent Cir cuit VDS = -30V,ID = -25A
jsm7409b.pdf

JSM7409BPlastic-Encapsulate MOSFETSPDFN3X3-8LDescription The JSM7409B uses advanced trench technology to 18provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation 2736with gate voltages as low as 4.5V. 45General Features Equivalent Cir cuit VDS = -30V,ID = -25A D RDS(ON)
Otros transistores... 15N10B , 3482 , 4420 , 4803A , 6435 , 6764 , 7240 , 7409 , IRF520 , 7410 , 7430 , 7506 , 7788 , 8810B , 90N03L , S8205B , SIA517 .
History: SI9434BDY | RJK1206JPD
History: SI9434BDY | RJK1206JPD



Liste
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