7409B - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: 7409B
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm
Тип корпуса: PDFN3X3-8L
Аналог (замена) для 7409B
7409B Datasheet (PDF)
7409b.pdf

SHENZHEN TUOFENG SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTDPDFN 3x3 Plastic-Encapsulate MOSFETS 7409BP-Channel Enhancement Mode Power MOSFET PDFN3X3-8LDescription The 7409B uses advanced trench technology to provide 18excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate 2736voltages as low as 4.5V. 45General Features Equivalent Cir cuit VDS = -30V,ID = -25A
jsm7409b.pdf

JSM7409BPlastic-Encapsulate MOSFETSPDFN3X3-8LDescription The JSM7409B uses advanced trench technology to 18provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation 2736with gate voltages as low as 4.5V. 45General Features Equivalent Cir cuit VDS = -30V,ID = -25A D RDS(ON)
Другие MOSFET... 15N10B , 3482 , 4420 , 4803A , 6435 , 6764 , 7240 , 7409 , K2611 , 7410 , 7430 , 7506 , 7788 , 8810B , 90N03L , S8205B , SIA517 .
History: NTHS2101PT1 | C2M090W035 | HX2302 | AP4569GM | CRTS095N12N | WMJ30N80M3
History: NTHS2101PT1 | C2M090W035 | HX2302 | AP4569GM | CRTS095N12N | WMJ30N80M3



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
g40t60an3h datasheet | j5027-r datasheet | transistor a1015 datasheet | bf199 transistor equivalent | bu801 | c8550 transistor datasheet | mj21194 transistor datasheet | kep40n26