7788 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 7788
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 36 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 4.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 340 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0055 Ohm
Encapsulados: PDFN3X3-8
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7788 datasheet
7788.pdf
SHENZHEN TUOFENG SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 7788 30V N-Channel MOSFET DFN 3x3_EP PRODUCT SUMMARY Top View Bottom View VDS 30V 40A ID (at VGS=10V)
jsm7788.pdf
JSM7788 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 30V N-Channel MOSFET DFN 3x3_EP PRODUCT SUMMARY Top View Bottom View VDS 30V 40A ID (at VGS=10V)
si7788dp.pdf
New Product Si7788DP Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET RoHS 0.0031 at VGS = 10 V 50 100 % Rg and UIS Tested COMPLIANT 30 37 nC 0.0041 at VGS = 4.5 V 50 APPLICATIONS PowerPAK SO-8 Low-Side DC/DC Conversion - Notebook - Gaming D S
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