7788 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 7788
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 36 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 4.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 340 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0055 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN3X3-8
Búsqueda de reemplazo de 7788 MOSFET
7788 Datasheet (PDF)
7788.pdf

SHENZHEN TUOFENG SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTDN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 778830V N-Channel MOSFETDFN 3x3_EPPRODUCT SUMMARYTop View Bottom ViewVDS30V40A ID (at VGS=10V)
jsm7788.pdf

JSM7788N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 30V N-Channel MOSFETDFN 3x3_EPPRODUCT SUMMARYTop View Bottom ViewVDS30V40A ID (at VGS=10V)
fds7788.pdf

August 2008FDS778830V N-Channel PowerTrench MOSFETGeneral Description FeaturesThis N-Channel MOSFET has been designed 18 A, 30 V. RDS(ON) = 4.0 m @ VGS = 10 Vspecifically to improve the overall efficiency of DC/DCRDS(ON) = 5.0 m @ VGS = 4.5 Vconverters using either synchronous or conventionalswitching PWM controllers. It has been optimized for Low gate charge
si7788dp.pdf

New ProductSi7788DPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET RoHS0.0031 at VGS = 10 V 50 100 % Rg and UIS TestedCOMPLIANT 30 37 nC0.0041 at VGS = 4.5 V 50APPLICATIONSPowerPAK SO-8 Low-Side DC/DC Conversion- Notebook- GamingD S
Otros transistores... 6435 , 6764 , 7240 , 7409 , 7409B , 7410 , 7430 , 7506 , NCEP15T14 , 8810B , 90N03L , S8205B , SIA517 , SLP6N70U , SLF6N70U , TF2015 , TF2301A .
History: NDT6N65P | NCE60NF110F | FS25SM-10A
History: NDT6N65P | NCE60NF110F | FS25SM-10A



Liste
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