TF2302A Todos los transistores

 

TF2302A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TF2302A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 85 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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TF2302A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:615K  cn tuofeng
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TF2302A

SHENZHEN TUOFENG SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTDSOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETSTF2302AN-Channel 20-V(D-S) MOSFETTF2302AV(BR)DSS RDS(on)MAX IDSOT-230.040@ 4.5V320V 3A1.GATE0.050@ 2.5V2.SOURCE3.DRAIN12General FEATURETrenchFET Power MOSFETLead free product is acquired Equivalent CircuitMARKINGSurface mount packageA2 wAPPLICATIONLoad

 8.1. Size:595K  cn tuofeng
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TF2302A

SHENZHEN TUOFENG SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTDSOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETSTF2302TF2302 N-Channel 20-V(D-S) MOSFETV(BR)DSS RDS(on)MAX IDSOT-230.045@ 4.5V320V 3A1.GATE0.055@ 2.5V2.SOURCE3.DRAIN12General FEATURETrenchFET Power MOSFETLead free product is acquiredMARKING Equivalent CircuitSurface mount packageA2sHB wAPPLICATIONLoad

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 ixtf230n085t.pdf pdf_icon

TF2302A

Advance Technical InformationVDSS = 85 VIXTF230N085TTrenchMVTMID25 = 130 APower MOSFET RDS(on) 5.3 m (Electrically Isolated Back Surface)N-Channel Enhancement ModeISOPLUS i4-PakTM (5-lead) (IXTF)Avalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 175C 85 VVDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1 M 55 VGVGSM Tran

 9.2. Size:703K  cn tuofeng
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TF2302A

SHENZHEN TUOFENG SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTDSOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETSTF2301ATF2301A P-Channel 20-V(D-S) MOSFETV(BR)DSS RDS(on)MAX IDSOT-230.085@-4.5V-20V -3.0A30.110@-2.5V1.GATE2.SOURCE3.DRAIN12General FEATURETrenchFET Power MOSFETMARKING Equivalent CircuitLead free product is acquiredSurface mount packageA1 wAPPLICATIONL

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History: STL80N3LLH6 | BUK962R8-30B

 

 
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